SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片

2019年6月27日07:46:27 发表评论 6 浏览

  【CNMO新闻】6月26日,SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC(Triple Level Cell)4D Nand闪存”并将于今年下半年(7月~12月)开始投入量产。去年10月SK海力士开发出96层4D Nand闪存芯片,新的128层4D Nand闪存生产效率是96层4D Nand芯片的40%。

SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片
SK海力士

  相比于传统的3D Nand闪存,4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题,大大提高了生产效率。SK海力士表示:“新产品使用同样的4D平台,通过对工程进行最佳优化,在比96层产品增加了32层储存单元的情况下,还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士全球率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片
4D Nand闪存

  最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降,在今年第一季度SK海力士已经出现亏损,现在SK海力士似乎打算通过Nand闪存领域寻找新的突破口。SK海力士计划从今年下半年正式开始出售128层4D闪存芯片,其能够广泛应用于数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G服务等领域。

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